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我國在片2mmS參數校準技術研究取得突破

時間:2017-06-26 作者:陳婷、吳巍 閱讀:4883
      近日,航天科工二院203所在2mm頻段在片校準技術研究中取得突破,達到國內領先水平。提升在片S參數校準能力對于提高我國毫米波器件設計制造水平有著重要的意義,該技術將在車載雷達、跑道異物檢測、風云三號氣象探測有所應用,具有一定經濟效益和社會效益。
      在片S參數是衡量裸芯片電特性的一個極其重要的指標,它涵蓋了反射與傳輸特性、幅度與相位特性,能對絕大多數在片器件,如低噪聲放大器、功率單片等裸芯片的電特性進行完全的表征。隨著我國毫米波設計制造水平的不斷提升,目前以實現國產化的毫米波器件有幾十個種類的上百種型號。但相比于國際上先進國家的設計制造水品,我國自行設計研制的毫米波元器件的性能指標還存在著一定的差距。
      開展片上電路的S參數的計量校準工作,能夠保證量值溯源的準確性,滿足溯源需求,對國內在片S參數測量校準工作加以規范。在片S參數測量能夠跟蹤服務于產品的設計、定型、生產的全過程,確保在片上管芯的研制設計階段,就對該產品的S參數特性有著準確的測量,避免封裝后測量時封裝和測試架的影響,確保了產品的質量,并縮短了產品的研制周期。

      項目負責人陳婷介紹道,今后203所將全面鋪開在片S參數校準,申報國家校準檢測能力認可,繼續開拓計量校準能力市場。


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